Учёные из России создали оперативную память на основе магнитоэлектрического эффекта
Учёные из команды, собранной путём объединения нескольких научно-исследовательских университетов и научных лабораторий решили, создав свою оперативную память, главную проблему, стоящую перед современной вычислительной техникой — высокое энергопотребление ОЗУ. Инженеры из МФТИ совместно с коллегами из ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН и Международной лаборатории LIA LICS удалось разработать память абсолютно нового типа. Подход ученых поможет не только снизить энергопотребление, но и значительно ускорить работу устройств. Суть новинки заключается в использовании для накопления данных магнитоэлектрического эффекта материала.
Ячейка «классической» оперативной памяти (RAM) состоит из транзистора, регулирующего доступ к конденсатору. Конденсатор может быть заряжен, и тогда его значение равно 1, либо разряжен и его значение, соответственно, будет 0. Разработанная же магнитно-электрическая память (MELRAM) состоит из двух элементов: пьезоэлектрической подложки и особой слоистой структуры. Пьезоэлектрические элементы могут деформироваться, если к ним приложить напряжение, или создавать его, если их деформировать. Слоистая структура обладает сильной магнитоупругостью (магнитные свойства в ней меняются вместе с деформацией). Из-за анизотропии слоистой структуры намагниченность может иметь два направления, которым и ставят в соответствие логические 1 или 0. При этом память MELRAM (в отличие от использующейся сейчас RAM) способна сохранять своё состояние даже при отключении от сети.
Материалы партнеров:
Читайте другие новости:
Читайте также